Transistor a canale N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Transistor a canale N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
6.25€
5-14
5.54€
15-29
4.97€
30-59
4.53€
60+
3.88€
Quantità in magazzino: 33

Transistor a canale N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2510pF. Corrente del collettore: 60A. Costo): 175pF. Data di produzione: 201509. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 35 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: capacità di corrente elevata, elevata impedenza di ingresso. Ic(impulso): 135A. Marcatura sulla cassa: GW30NC120HD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(acceso): 29 ns. Td(spento): 275 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.75V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40

Documentazione tecnica (PDF)
STGW30NC120HD
29 parametri
Ic(T=100°C)
30A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
1200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2510pF
Corrente del collettore
60A
Costo)
175pF
Data di produzione
201509
Diodo CE
Diodo Trr (min.)
35 ns
Diodo al germanio
no
Funzione
capacità di corrente elevata, elevata impedenza di ingresso
Ic(impulso)
135A
Marcatura sulla cassa
GW30NC120HD
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
220W
RoHS
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(acceso)
29 ns
Td(spento)
275 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.2V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
3.75V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2.75V
Tipo di canale
N
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
5.75V
Voltaggio gate/emettitore VGE
25V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics