Transistor a canale N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Transistor a canale N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.36€
5-49
1.13€
50-99
1.02€
100+
0.92€
Quantità in magazzino: 1129

Transistor a canale N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 310pF. Costo): 49pF. Diodo Trr (min.): 260 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Marcatura sulla cassa: D4NK50Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
STD4NK50ZT4
26 parametri
ID (T=100°C)
1.9A
ID (T=25°C)
3A
Ids
1uA
Idss (massimo)
3A
Rds sulla resistenza attiva
2.3 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( D-PAK )
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
310pF
Costo)
49pF
Diodo Trr (min.)
260 ns
Funzione
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Id(imp)
12A
Marcatura sulla cassa
D4NK50Z
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
21 ns
Tecnologia
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics