Transistor a canale N STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50mA. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 485pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 57pF. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1uA. Id(imp): 10A. Marcatura sulla cassa: D3NK80Z. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 36ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 75. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54