Transistor a canale N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-1

13.30€

2-4

12.18€

5-9

11.31€

10-19

10.49€

20-29

9.88€

30+

9.63€

Quantità in magazzino: 10

Transistor a canale N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Tensione drain-source (Vds): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Alloggiamento: PG-TO247 HV. Corrente di assorbimento massima: 20A. Potenza: 208W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 12:31

Documentazione tecnica (PDF)

SPW20N60S5

8 parametri

Tensione drain-source (Vds)

600V

Rds sulla resistenza attiva

0.19 Ohms

Alloggiamento

PG-TO247 HV

Corrente di assorbimento massima

20A

Potenza

208W

Tipo di canale

Tipo di transistor

transistor di potenza MOSFET

Prodotto originale del produttore

Infineon Technologies