Transistor a canale N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
13.33€
2-4
12.21€
5-9
11.34€
10-19
10.52€
20-29
9.91€
30+
9.66€
| Quantità in magazzino: 10 |
Transistor a canale N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Tensione drain-source (Vds): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Alloggiamento: PG-TO247 HV. Corrente di assorbimento massima: 20A. Potenza: 208W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 15/02/2026, 06:57
SPW20N60S5
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
600V
Rds sulla resistenza attiva
0.19 Ohms
Alloggiamento
PG-TO247 HV
Corrente di assorbimento massima
20A
Potenza
208W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies