Transistor a canale N SPW17N80C3, 800V, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Tensione drain-source (Vds): 800V. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2320pF. Corrente di assorbimento massima: 17A. Costo): 1250pF. Diodo Trr (min.): 550 ns. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". ID (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Marcatura sulla cassa: 17N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. Potenza: 208W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 77 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54