Transistor a canale N SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V

Transistor a canale N SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.47€
5-49
3.95€
50-99
3.34€
100+
3.02€
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito
Equivalenza disponibile

Transistor a canale N SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. ID (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 58.5 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
SPU04N60C3
29 parametri
ID (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
0.85 Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251 ( I-Pak )
Voltaggio Vds(max)
650V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
490pF
Costo)
160pF
Diodo Trr (min.)
300 ns
Funzione
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
ID (min)
0.5uA
Id(imp)
13.5A
Marcatura sulla cassa
04N60C3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
6 ns
Td(spento)
58.5 ns
Tecnologia
Cool Mos
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2.1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies

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