Transistor a canale N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor a canale N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.14€
5-24
2.73€
25-49
2.46€
50+
2.20€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 72

Transistor a canale N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 30pF. Costo): 55pF. Data di produzione: 2015/05. Diodo Trr (min.): 750 ns. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". ID (min): 0.5uA. Id(imp): 14.6A. Marcatura sulla cassa: 07N60S5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(acceso): 120ns. Td(spento): 170 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
SPP07N60S5
33 parametri
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.54 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
30pF
Costo)
55pF
Data di produzione
2015/05
Diodo Trr (min.)
750 ns
Funzione
"DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa"
ID (min)
0.5uA
Id(imp)
14.6A
Marcatura sulla cassa
07N60S5
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
83W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
COOL MOS TRANSISTOR
Td(acceso)
120ns
Td(spento)
170 ns
Tecnologia
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
5.5V
Vgs(esimo) min.
3.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies

Prodotti e/o accessori equivalenti per SPP07N60S5