Transistor a canale N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.12€
5-49
0.92€
50-99
0.78€
100+
0.68€
Quantità in magazzino: 344

Transistor a canale N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 790pF. Costo): 390pF. Diodo Trr (min.): 32 ns. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 112A. Marcatura sulla cassa: 28N03L. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54

Documentazione tecnica (PDF)
SPD28N03L
27 parametri
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
30A
Ids
100uA
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.023 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
790pF
Costo)
390pF
Diodo Trr (min.)
32 ns
Funzione
Transistor MOSFET con controllo a livello logico
Id(imp)
112A
Marcatura sulla cassa
28N03L
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
75W
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
13 ns
Td(spento)
12 ns
Tecnologia
SIPMOS Power Transistor
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1.6V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies