Transistor a canale N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.093 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 215pF. Costo): 75pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 37A. Marcatura sulla cassa: SPD09N05. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 24W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 05:54