Transistor a canale N SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 4480pF. Costo): 1580pF. Diodo Trr (min.): 195 ns. Funzione: Modalità di miglioramento. ID (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: 2N04H4. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 46 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30