Transistor a canale N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Transistor a canale N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.12€
5-24
4.62€
25-49
4.22€
50-99
3.87€
100+
3.41€
Quantità in magazzino: 50

Transistor a canale N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 560V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Diodo Trr (min.): 420 ns. Funzione: Eccezionale capacità dv/dt. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: 16N50C3. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

SPA16N50C3
33 parametri
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
16A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.25 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
560V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1600pF
Costo)
800pF
Diodo Trr (min.)
420 ns
Funzione
Eccezionale capacità dv/dt
ID (min)
0.1uA
Id(imp)
48A
Marcatura sulla cassa
16N50C3
Nota
Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto)
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
34W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
capacités effectives ultra faibles
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
50 ns
Tecnologia
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.9V
Vgs(esimo) min.
2.1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies