Transistor a canale N SPA11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Diodo Trr (min.): 550 ns. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". ID (min): 0.5uA. Id(imp): 33A. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30