Transistor a canale N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor a canale N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.00€
5-9
6.37€
10-24
5.61€
25+
5.31€
Quantità in magazzino: 93

Transistor a canale N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1100pF. Corrente del collettore: 40A. Costo): 107pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 300 ns. Diodo al germanio: -. Funzione: S-IGBT veloce nella tecnologia NPT. Ic(impulso): 80A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 179W. RoHS: sì. Spec info: K20N60. Td(acceso): 36ns. Td(spento): 445 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40

Documentazione tecnica (PDF)
SKW20N60
25 parametri
Ic(T=100°C)
20A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247 ( AC )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1100pF
Corrente del collettore
40A
Costo)
107pF
Diodo CE
Diodo Trr (min.)
300 ns
Funzione
S-IGBT veloce nella tecnologia NPT
Ic(impulso)
80A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
179W
RoHS
Spec info
K20N60
Td(acceso)
36ns
Td(spento)
445 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.4V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
3V
Tipo di canale
N
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
5V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies