Transistor a canale N SKM100GAR123D, 90A, altro, altro, 600V

Descrizione tecnica del prodotto (SKM100GAR123D):

Transistor a canale N SKM100GAR123D, 90A, altro, altro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: -. C(in): 5000pF. Corrente del collettore: 100A. Costo): 720pF. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT ad alta potenza. Ic(impulso): 150A. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 450 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V