Transistor a canale N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Transistor a canale N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.05€
5-49
1.70€
50-99
1.51€
100+
1.33€
Quantità in magazzino: 89

Transistor a canale N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0075 Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 985pF. Costo): 205pF. Diodo Trr (min.): 14 ns. Funzione: "Interruttore lato alto". ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Marcatura sulla cassa: 196k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29.8W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
SIR474DP
30 parametri
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
15A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0075 Ohms
Alloggiamento
PowerPAK SO-8
Custodia (secondo scheda tecnica)
PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
985pF
Costo)
205pF
Diodo Trr (min.)
14 ns
Funzione
"Interruttore lato alto"
ID (min)
1uA
Id(imp)
50A
Marcatura sulla cassa
196k Ohms
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
29.8W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
19 ns
Tecnologia
TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay