Transistor a canale N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0155 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: MOSFET di potenza a commutazione rapida. ID (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Marcatura sulla cassa: 4800B. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 32 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30