Transistor a canale N SI4559EY-E3, SO8, MS-012, 60V/-60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1000pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 4.5A/-3.1A. Marcatura del produttore: SI4559EY. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36/12ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45