Transistor a canale N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 7.5A. Marcatura del produttore: SI4410BDY. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06