Transistor a canale N SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Ic(T=100°C): 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1600pF. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Corrente del collettore: 41A. Costo): 150pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Funzione: Comandi motore, inverter. Ic(impulso): 112A. Marcatura del produttore: G30N60. Marcatura sulla cassa: G30N60. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 349 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 44 ns. Td(spento): 291 ns. Tecnologia: IGBT veloce in tecnologia NPT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 50. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40