Transistor a canale N SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1970pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 48A. Costo): 310pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 50 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: IGBT ad alta velocità. Ic(impulso): 90A. Marcatura sulla cassa: G30N60RUFD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. RoHS: sì. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 54 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40