Transistor a canale N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

Transistor a canale N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

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Transistor a canale N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1830pF. Costo): 410pF. Funzione: commutazione di potenza, convertitori DC/DC, inverter. Id(imp): 35A. Marcatura sulla cassa: TB. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 78 ns. Tecnologia: MOSFET N canali con azionamento da 4 V. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ROHM. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
RSS095N05
27 parametri
ID (T=25°C)
9.5A
Idss (massimo)
1uA
Rds sulla resistenza attiva
0.011 Ohms
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
45V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1830pF
Costo)
410pF
Funzione
commutazione di potenza, convertitori DC/DC, inverter
Id(imp)
35A
Marcatura sulla cassa
TB
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
78 ns
Tecnologia
MOSFET N canali con azionamento da 4 V
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
ROHM