Transistor a canale N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. C(in): 2250pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2250pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 792pF. Diodo Trr (min.): 52 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 70A. Marcatura del produttore: RFP70N06. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. RoHS: sì. Spec info: Modello PSPICE® con compensazione della temperatura. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 32 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30