Transistor a canale N RFP3055LE, TO-220AB, 60V

Transistor a canale N RFP3055LE, TO-220AB, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-49
1.80€
50+
1.25€
Quantità in magazzino: 324

Transistor a canale N RFP3055LE, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 11A. Marcatura del produttore: RFP3055LE. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37

Documentazione tecnica (PDF)
RFP3055LE
16 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Tensione drain-source Uds [V]
60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.107 Ohms @ 8A
Capacità del gate Ciss [pF]
350pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
38W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
11A
Marcatura del produttore
RFP3055LE
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
22 ns
RoHS
Temperatura massima
+175°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
8 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
3V
Prodotto originale del produttore
Onsemi (fairchild)