Transistor a canale N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 325pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (min): 1uA. Id(imp): 30A. Marcatura sulla cassa: F12N10L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30