Transistor a canale N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L

Transistor a canale N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L. Transistor a canale N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 900pF. Costo): 325pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 30A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F12N10L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.