Transistor a canale N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 12A. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 850pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: controllo del livello logico, protezione ESD. Marcatura sulla cassa: F3055L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: diodo. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Harris. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30