Transistor a canale N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Transistor a canale N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.37€
5-24
1.18€
25-49
1.00€
50-99
0.92€
100+
0.81€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 430

Transistor a canale N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 150A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
P50N03LD
26 parametri
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
Ids
25uA
Idss (massimo)
50A
Rds sulla resistenza attiva
15m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( D-PAK )
Voltaggio Vds(max)
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1200pF
Costo)
600pF
Diodo Trr (min.)
70 ns
Funzione
Modalità di miglioramento del livello logico
Id(imp)
150A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
50W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
6 ns
Td(spento)
40 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Niko-semi

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