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Transistor a canale N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK)
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.80€
5-24
1.56€
25-49
1.41€
50-99
1.32€
100+
1.17€
| Equivalenza disponibile | |
| Quantità in magazzino: 88 |
Transistor a canale N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Ids: 50uA. Idss (massimo): 50A. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 (D2PAK). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2780pF. Costo): 641pF. Diodo Trr (min.): 34 ns. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Niko-semi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30
P50N03A-SMD
22 parametri
ID (T=25°C)
50A
Ids
50uA
Idss (massimo)
50A
Rds sulla resistenza attiva
5.1M Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-263 (D2PAK)
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2780pF
Costo)
641pF
Diodo Trr (min.)
34 ns
Id(imp)
100A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
59.5W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
sì
Td(acceso)
8 ns
Td(spento)
35 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Prodotto originale del produttore
Niko-semi