Transistor a canale N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V

Transistor a canale N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.15€
5-49
3.87€
50-99
3.37€
100+
3.22€
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Esaurito

Transistor a canale N NTGS3446, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 510pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 200pF. Diodo Trr (min.): 20 ns. Funzione: applicazioni per batterie agli ioni di litio, PC notebook. ID (min): 1uA. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: 446. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 3000. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Prodotto originale del produttore: --. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
NTGS3446
31 parametri
ID (T=25°C)
5.1A
Idss (massimo)
25uA
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
Alloggiamento
TSOP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TSOP-6
Voltaggio Vds(max)
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
510pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
200pF
Diodo Trr (min.)
20 ns
Funzione
applicazioni per batterie agli ioni di litio, PC notebook
ID (min)
1uA
Id(imp)
20A
Marcatura sulla cassa
446
Numero di terminali
6
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
controllo del cancello tramite livello logico
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
35 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
3000
Vgs(esimo) min.
0.6V
Voltaggio gate/source Vgs
12V