Transistor a canale N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor a canale N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.66€
5-9
4.17€
10-24
3.86€
25-49
3.64€
50+
3.30€
Quantità in magazzino: 34

Transistor a canale N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 890pF. Costo): 670pF. Diodo Trr (min.): 375 ns. Funzione: Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC/CC. Id(imp): 33A. Marcatura sulla cassa: 60R360P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 80 ns. Tecnologia: N-channel POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Magnachip Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37

Documentazione tecnica (PDF)
MMF60R360PTH
30 parametri
ID (T=100°C)
6.95A
ID (T=25°C)
11A
Idss (massimo)
1uA
Rds sulla resistenza attiva
0.32 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
890pF
Costo)
670pF
Diodo Trr (min.)
375 ns
Funzione
Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC/CC
Id(imp)
33A
Marcatura sulla cassa
60R360P
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
31W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
80 ns
Tecnologia
N-channel POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Magnachip Semiconductor