Transistor a canale N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1650pF. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 355 ns. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49.6W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(acceso): 27 ns. Td(spento): 132 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Magnachip Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30