Transistor a canale N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 100A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: 60T65PES. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 535W. RoHS: sì. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 142ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Magnachip Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35