Transistor a canale N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V

Transistor a canale N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.46€
5-24
0.38€
25-49
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50-99
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100+
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Transistor a canale N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Alloggiamento: TO-92. Idss (massimo): 5mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 Ammo-Pak. Voltaggio Vds(max): 35V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 28pF. Confezione: -. Costo): 5pF. DRUCE CORRENTE: 5mA. Funzione: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: unipolari. Potenza: 350mW. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 50 Ohms. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: -35V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-JFET. Trip Current: 50mA. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
J112
24 parametri
Alloggiamento
TO-92
Idss (massimo)
5mA
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92 Ammo-Pak
Voltaggio Vds(max)
35V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
28pF
Costo)
5pF
DRUCE CORRENTE
5mA
Funzione
Up 4.5V
IGF
50mA
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Polarità
unipolari
Potenza
350mW
Quantità per scatola
1
Resistenza allo stato
50 Ohms
RoHS
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di gate-source
-35V
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
5V
Tensione gate/source (spenta) min.
1V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
N-JFET
Trip Current
50mA
Prodotto originale del produttore
Fairchild