Transistor a canale N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

Transistor a canale N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.32€
5-49
0.26€
50-99
0.23€
100-199
0.21€
200+
0.18€
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Transistor a canale N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Alloggiamento: TO-92. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 160pF. Corrente di assorbimento massima: 0.1A. Costo): 35pF. ID (min): 100mA. IGF: 50mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 5 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Voltaggio gate/source Vgs: 0.7V. Prodotto originale del produttore: Siliconix. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
J107
25 parametri
Alloggiamento
TO-92
Rds sulla resistenza attiva
8 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio Vds(max)
25V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
160pF
Corrente di assorbimento massima
0.1A
Costo)
35pF
ID (min)
100mA
IGF
50mA
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
350mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
6 ns
Td(spento)
5 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
4.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
0.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
JFET
Voltaggio gate/source Vgs
0.7V
Prodotto originale del produttore
Siliconix