Transistor a canale N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 6300pF. Costo): 950pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. ID (min): 100uA. Id(imp): 220A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 96 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11