Transistor a canale N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 24m Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4800pF. Costo): 1020pF. Diodo Trr (min.): 160 ns. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. ID (min): 25uA. Id(imp): 225A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 28 ns. Td(spento): 75 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11