Transistor a canale N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV. Alloggiamento: TO-247AD. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 5A. Marcatura del produttore: IXTH5N100A. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. RoHS: no. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37