Transistor a canale N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Transistor a canale N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
13.47€
5-24
12.47€
25-49
10.93€
50+
10.12€
Quantità in magazzino: 34

Transistor a canale N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Corrente del collettore: 48A. Costo): 170pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 130 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: HiPerFAST IGBT with Diode. Ic(impulso): 80A. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 75 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:59

Documentazione tecnica (PDF)
IXGH24N60CD1
26 parametri
Ic(T=100°C)
24A
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247 ( AD )
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1500pF
Corrente del collettore
48A
Costo)
170pF
Diodo CE
Diodo Trr (min.)
130 ns
Diodo al germanio
no
Funzione
HiPerFAST IGBT with Diode
Ic(impulso)
80A
Nota
transistor IGBT HiPerFAST
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
150W
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
75 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
2.1V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
2.5V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
2.5V
Tipo di canale
N
Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.
5.5V
Voltaggio gate/emettitore VGE
20V
Prodotto originale del produttore
IXYS