Transistor a canale N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Transistor a canale N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
16.30€
5-9
14.50€
10-14
13.41€
15-29
12.71€
30+
11.73€
Quantità in magazzino: 9

Transistor a canale N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (massimo): 2uA. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 9100pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 2200pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. ID (min): 100uA. Id(imp): 480A. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 110 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IXFR120N20P
33 parametri
ID (T=25°C)
105A
Idss (massimo)
2uA
Rds sulla resistenza attiva
17m Ohms
Alloggiamento
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
9100pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
2200pF
Diodo Trr (min.)
250 ns
Funzione
Superficie posteriore isolata elettricamente
ID (min)
100uA
Id(imp)
480A
Nota
tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
400W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(acceso)
40 ns
Td(spento)
110 ns
Tecnologia
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
IXYS