Transistor a canale N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V
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Transistor a canale N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. C(in): 7900pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 9700pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 790pF. Diodo Trr (min.): 200 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 830W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID (min): 25uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 64A. Id(imp): 150A. Marcatura del produttore: IXFK64N50P. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85 ns. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 20V/ns. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 85 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11