Transistor a canale N IXFK48N50, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms, TO-264AA, 500V. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=25°C): 48A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. C(in): 8400pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 900pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: F-Class--MHz Switching. ID (min): 400uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 44A. Id(imp): 192A. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11