Transistor a canale N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. C(in): 12pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 12000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 910pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1200W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. ID (min): 50uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 44A. Id(imp): 100A. Marcatura del produttore: IXFK44N80P. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(acceso): 28 ns. Td(spento): 75 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11