Transistor a canale N IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4700pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 580pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 104A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 80 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11