Transistor a canale N IRLZ34NPBF, 55V, 0.035 Ohms, 55V. Tensione drain-source (Vds): 55V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Capacità del gate Ciss [pF]: 880pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Controllare: Livello logico. Corrente di assorbimento massima: 30A. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 30A. Marcatura del produttore: IRLZ34NPBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 68W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.9 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06