Transistor a canale N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor a canale N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.18€
5-24
1.88€
25-49
1.69€
50-99
1.55€
100+
1.38€
Quantità in magazzino: 66

Transistor a canale N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 4880pF. Costo): 950pF. Diodo Trr (min.): 18 ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 1uA. Id(imp): 640A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 135W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 19 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLR8743
30 parametri
ID (T=100°C)
113A
ID (T=25°C)
160A
Idss (massimo)
150uA
Rds sulla resistenza attiva
2.4M Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
4880pF
Costo)
950pF
Diodo Trr (min.)
18 ns
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
1uA
Id(imp)
640A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
135W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
19 ns
Td(spento)
21 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.35V
Vgs(esimo) min.
1.35V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier