Transistor a canale N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1700pF. Carica: 32nC. Condizionamento: rotolo. Costo): 400pF. DRUCE CORRENTE: 42A. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. ID (min): 25uA. Id(imp): 160A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Polarità: unipolari. Potenza: 110W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1.8K/W. RoHS: sì. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2000. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38