Transistor a canale N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Alloggiamento: TO252AA, DPAK. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 16.7nC. DRUCE CORRENTE: 28A. Polarità: unipolari. Potenza: 68W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Resistenza termica abitativa: 2.7K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 16V, ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 03:09