Transistor a canale N IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 1.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38