Transistor a canale N IRL640A, 200V, 18A, 0.18 Ohms, 18A, TO-220, TO-220AB, 200V. Tensione drain-source (Vds): 200V. ID (T=25°C): 18A. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Idss (massimo): 18A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Controllare: Livello logico. Corrente di assorbimento massima: 18A. Funzione: Livello logico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Potenza: 110W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: V-MOS. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38