Transistor a canale N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Transistor a canale N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.02€
5-24
1.78€
25-49
1.60€
50-99
1.44€
100+
1.25€
Quantità in magazzino: 779

Transistor a canale N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1800pF. Costo): 350pF. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRL540NS
26 parametri
ID (T=100°C)
26A
ID (T=25°C)
36A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.044 Ohms
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Voltaggio Vds(max)
100V
C(in)
1800pF
Costo)
350pF
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Pd (dissipazione di potenza, massima)
140W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
11 ns
Td(spento)
39 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies